Name: DMT10H015LCG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LCG-7TR-ND
Price: 267.3 JPY
Availability: InStock

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DMT10H015LCG-7
DigiKey製品番号	31-DMT10H015LCG-7TR-ND - テープ＆リール（TR） 31-DMT10H015LCG-7CT-ND - カットテープ（CT） 31-DMT10H015LCG-7DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMT10H015LCG-7
商品概要	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 9.4A（Ta）、34A（Tc） 1W（Ta）面実装 V-DFN3333-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	DMT10H015LCG-7 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Diodes Incorporated
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9.4A（Ta）、34A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	15ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	33.3 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1871 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1W（Ta）
動作温度	-55°C～155°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	V-DFN3333-8
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	DMT10