DMN3010LFG-13 は購入可能ですが、通常は在庫がありません。
購入可能な代替品:

パラメータ等価


Diodes Incorporated
在庫あり: 5,716
単価 : ¥146.00000
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Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
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在庫あり: 0
単価 : ¥144.00000
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Texas Instruments
在庫あり: 5,017
単価 : ¥309.00000
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Rohm Semiconductor
在庫あり: 4,619
単価 : ¥111.00000
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Rohm Semiconductor
在庫あり: 2,572
単価 : ¥149.00000
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Rohm Semiconductor
在庫あり: 9,709
単価 : ¥129.00000
データシート
Nチャンネル 30 V 11A(Ta)、30A(Tc) 900mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

DMN3010LFG-13

DigiKey製品番号
DMN3010LFG-13DI-ND - テープ&リール(TR)
メーカー
メーカー製品番号
DMN3010LFG-13
商品概要
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
メーカーの標準リードタイム
40 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 30 V 11A(Ta)、30A(Tc) 900mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
シリーズ
-
梱包形態
テープ&リール(TR)
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
8.5ミリオーム @ 18A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
37 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2075 pF @ 15 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
900mW(Ta)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
POWERDI3333-8
パッケージ/ケース
ベース品番
製品に関する質問と回答

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テープ&リール(TR)
数量 単価 請求価格
3,000¥34.08767¥102,263
6,000¥31.33367¥188,002
9,000¥29.93022¥269,372
15,000¥28.35367¥425,305
21,000¥27.86590¥585,184
メーカーの標準パッケージ
単価(消費税抜き):¥34.08767
単価(消費税込み):¥37.49644