Toshiba Semiconductor and Storage - 東芝セミコンダクター＆ストレージ

UMOS 11低電圧MOSFET

ToshibaのUMOS 11低電圧MOSFETは、効率的なスイッチング、低損失、よりスマートな設計を実現

「ToshibaのUMOS 11低電圧MOSFET」の画像Toshibaの低電圧UMOS-11プロセスは、電力効率、小型設計、信頼性の高いスイッチング性能に対して高まる要求に応えるために設計されています。

改良されたトレンチ構造を採用したUMOS 11は、低いRDS(on)、QOSSおよびQRRの低減、全体的なスイッチング動作の改善を実現し、DC/DCコンバータやモータ駆動からサーバ電源やその他のスイッチング電源まで、幅広いアプリケーションに適しています。

このプロセスは、5mm x 6mmおよび3mm x 3mmのパッケージで、40V～100Vの幅広い電圧に対応します。

特長
  • ファミリの最小オン抵抗は0.52mΩ（最大）（VGS=10V）
  • 低RDS(ON) x QOSS、低R(DSON) x QRR
  • スイッチモード電源の高効率性
  • 信頼性の高い動作のための厳しい閾値電圧
  • 内蔵高速ダイオードが逆回復損失を改善
  • 高温動作：最大+175°C
応用
  • DC/DCコンバータ
  • スイッチング電源（データセンターサーバ、通信機器など）
  • モータ制御
  • 負荷スイッチング
リソース

「ToshibaのUMOS 11低電圧MOSFET」の画像

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1TPH2R70AR5,LQN-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@19945 - 即時$247.00詳細を表示
刊行： 2025-09-26