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TrenchFET Gen IV MOSFET
Vishayは、Vishay/Siliconixの30V NチャンネルパワーMOSFETの次世代TrenchFET Gen IVファミリを発売
Vishay/Siliconixは、30V NチャンネルパワーMOSFETの次世代TrenchFET Gen IVファミリを発売します。 SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP、およびSiSA04DNは、新しい高密度設計を採用し、PowerPAK® SO-8および1212-8パッケージを用いて、4.5Vで1.35mΩまで引き下げた業界最小のオン抵抗と低トータルゲート電荷量を提供します。
Vishayの30V NチャンネルパワーMOSFETの次世代TrenchFET Gen IVファミリは、シリコン設計、ウェハ処理、およびデバイスパッケージング技術の進化を取り込み、今日のパワーエレクトロニクスシステムの設計者に多くの利点を提供します。 このGen IVファミリは、前世代のデバイスと比べて、オン抵抗とシリコン面積の積を60%以上削減でき、業界最小のオン抵抗を実現し、消費電力の低減とより高い効率が得られます。
特長
- TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
- 全数RgおよびUIS試験済み
- ハロゲンフリー（IEC61249-2-21の定義に準拠）
- RoHS指令2002/95/EC対応
用途
- 高パワー密度のDC/DCコンバータ、同期整流、同期整流式降圧コンバータ、およびOR接続アプリケーション
- 主な最終製品は、スイッチモード電源、電圧レギュレータモジュール（VRM）、ポイントオブロード（POL）、テレコム向けブリック、パソコン、およびサーバなど
TrenchFET Gen IV MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | 7764 - 即時 | $252.00 | 詳細を表示 |
|  | SI4062DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO | 6823 - 即時 | $365.00 | 詳細を表示 |
| | SIS476DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | 5900 - 即時 | $276.00 | 詳細を表示 |
|  | SIS488DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8 | 23821 - 即時 | $239.00 | 詳細を表示 |
| | SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | 8640 - 即時 | $288.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2013-07-02
日本