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両面冷却を備えた中電圧TrenchFET®パワーMOSFET
Vishay SiliconixのパワーMOSFETは、スイッチング特性を最適化する優れた動的パラメータを装備
Vishay Siliconixの中電圧TrenchFETパワーMOSFETは、最高の効率を実現し、電力密度を高め、部品数を削減します。これらは、レイアウトの最適化を可能にするコンパクトで非常に効率的なデバイスです。これらのMOSFETには、スイッチング特性を最適化する優れた動的パラメータがあります。TrenchFETパワーMOSFETは、標準高さ0.56mmの二重冷却（両面冷却機能）PowerPAK® SO-8パッケージが特長で、コンパクトで薄型、D2PAKから80％のフットプリント削減を実現します。フットプリントはPowerPAK SO-8と互換性があります。
特長
- 次世代技術により、非常に低いオン抵抗と超低性能指数（FOM）を実現
- Qgd/Qgs比<1は、C*dv/dtゲート結合に対する耐性を改善
- 非常に低いQgdミラー充電により、プラトー電圧による充電による電力損失が低減
- スイッチング関連の電力損失とミラー時間を削減
- 一部の製品は、ロジックレベルと標準のゲート駆動機能を保有
- ゲート駆動を低くすることで損失を低減可能
- 低電圧、低コストの5V PWM ICを使用可能
- 低FOMはスイッチング損失の削減に寄与
- TOパッケージや熱的に進化した省スペースのPowerPAKを含む幅広い各種パッケージ
- TOパッケージのデバイスの最大接合部温度は最大+175°C
応用
-
- AC/DC電源
の同期整流- コンピューティング
- 民生用
- サーバ
- 通信機器
- LLCトポロジ
- ATXサーバ
- LED TV電源
- テレコムブリックとPOL
- AC/DC電源
- モーター制御/3相HブリッジACインバータ
- ソーラーマイクロインバータ
- 電気自動車用のバッテリ充電ステーション
- OR関数
- 冗長電源アーキテクチャ
- 昇圧コンバータ
Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided Cooling
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIR638DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 | 6095 - 即時 | $382.00 | 詳細を表示 |
|  | SIJ438DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8 | 13779 - 即時 | $365.00 | 詳細を表示 |
|  | SUP40010EL-GE3 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | 71 - 即時 | $634.00 | 詳細を表示 |
| | SIJA52DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 0 - 即時 | $310.00 | 詳細を表示 |
| | SIRA52DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 0 - 即時 | $310.00 | 詳細を表示 |
| | SIJA54DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 6187 - 即時 | $263.00 | 詳細を表示 |
|  | SIRA54DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 5870 - 即時 | $296.00 | 詳細を表示 |
|  | SISS10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S | 6297 - 即時 | $247.00 | 詳細を表示 |
|  | SISB46DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 | 3436 - 即時 | $206.00 | 詳細を表示 |
|  | SUP50020EL-GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 87 - 即時 | $649.00 | 詳細を表示 |
| | SIR688DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | 5802 - 即時 | $440.00 | 詳細を表示 |
|  | SIS862DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8 | 9329 - 即時 | $275.00 | 詳細を表示 |
| | SUP60030E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | 379 - 即時 | $649.00 | 詳細を表示 |
| | SIR826ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | 5070 - 即時 | $524.00 | 詳細を表示 |
|  | SI3476DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP | 18709 - 即時 | $130.00 | 詳細を表示 |
| | SUP70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 482 - 即時 | $649.00 | 詳細を表示 |
|  | SUM70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 1149 - 即時 | $649.00 | 詳細を表示 |
| | SUM70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO263 | 7663 - 即時 | $451.00 | 詳細を表示 |
| | SUP70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB | 337 - 即時 | $451.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2019-11-26
日本