30V PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET

Vishay Siliconixは、TrenchFET Gen IV 技術を利用したPowerPAIR^® 3 mm x 3 mmパッケージの、新しい30V、非対称、デュアルTrenchFETパワーMOSFETを発表します。 このパッケージサイズで、前世代のデバイスよりも57%低いオン抵抗、最大25%高い電力密度、および5%高い効率を提供する、Vishay SiliconixのSiZ340DTは、1つの小型パッケージにハイサイドおよびローサイドMOSFETを組み合わせることにより、電力損失を減らし、スペースを節約し、高効率の同期整流式降圧コンバータの設計を簡素化するのに役立ちます。 SiZ340DTのTrenchFET Gen IV技術は、オン抵抗を低減し、ゲート電荷を最適化するために、高度な高密度設計を利用します。 電力損失を大幅に削減することにより、競合製品よりも、10Aおよびそれ以上の出力電流で特に、SiZ340DTはより良い効率を示します。 この高効率性を備えたSiZ340DTは、同じ出力負荷で前世代のデバイスより30%低温で実行、または増加した電力密度を提供することができます。 10A～15Aの出力電流と2V以下の出力電圧を備えた標準のDC/DCトポロジ用に、SiZ340DTの小型の3 mm × 3 mmのフットプリントエリアは、ハイサイド用にPowerPAK^® 1212-8 MOSFET、ローサイド用にPowerPAK SO-8などの個別のソリューションを使用するのと比べて、潜在的に最大77%のPCBスペースを節約することが可能です。 スイッチング損失を低減することで、このデバイスは、より小型のインダクタおよびコンデンサの使用を可能にすることにより、PCBサイズを収縮するために450kHzを超える周波数のより高いスイッチングを可能にします。