Vishay/Siliconix - ビシェイ/シリコニクス

SiR638DP、Nチャンネル、40V MOSFET

VishayのSiR638DP、Nチャンネル、40V MOSFETは、高電流および低RDS(ON)が特長

Vishayが提供するSiR638DP、Nチャンネル、40V MOSFETの画像VishayのSiR638DPは、RDS(ON)および出力静電容量（Coss）のクラス最高の組み合わせを提供し、システム電力損失を低減します。 この製品は、100A DCの電流定格を備え、堅牢なPowerPAK SO-8パッケージが特長です。 PowerPAK SO-8パッケージは、標準のSO-8パッケージと同じフットプリントおよび同じピン配列を利用しています。 これにより、標準のSO-8パッケージの代わりにPowerPAKを直接用いることが可能です。 リードレスパッケージであるPowerPAK SO-8は、全体のSO-8フットプリントを利用し、リードによって通常占有されるスペースを解放するため、標準のSO-8パッケージよりも大きなダイを保持することが可能です。

特長
  • TrenchFET Gen IVパワーMOSFET
  • 全数RgおよびUIS試験済み
  • < 1のQgd/Qgs比率は、スイッチング特性を最適化
応用
  • 同期整流
  • Oリング
  • 高電力密度DC/DC
  • VRMSおよび組み込みDC/DC
  • DC/ACインバータ
  • ロードスイッチ

SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET

画像メーカー品番商品概要ドレイン～ソース間電圧（Vdss）入手可能な数量価格詳細を表示
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-840 V6095 - 即時$382.00詳細を表示
刊行： 2016-10-10

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