RDS（on）10mΩ未満のUF3SC SiC FET

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            RDS（on）10mΩ未満のUF3SC SiC FET
  
                    onsemiのUF3SCは、高電力アプリケーションにこれまでにないレベルの性能と効率を提供

Image of Qorvo UF3SC SiC FETs with <10 mΩ RDS(on) onsemiのUF3SC SiC FETは、650Vで7mΩ、1200Vで10mΩのR_DS（on）レベルを誇り、高出力での使用において、これまでにないレベルの性能と効率を実現しています。この高性能SiC FETデバイスは、ノーマリオンのSiC JFETとSi MOSFETを組み合わせた独自のカスコード回路構成を採用し、ノーマリオフのSiC FETデバイスを実現しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスの真のドロップイン置き換えを可能にします。TO-247-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲート電荷と優れた逆回復特性を示し、誘導性負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。