Toshiba Semiconductor and Storage - 東芝セミコンダクター＆ストレージ

TRSxxx65Hショットキーバリアダイオード

産業機器向けに設計されたToshibaのSiC（シリコンカーバイド）SBD（ショットキーバリアダイオード）

ToshibaのTRSxxx65Hショットキーバリアダイオード の画像Toshibaの産業機器向けSiC SBD「TRSxxx65Hシリーズ」は、JBS（Junction Barrier Schottky）構造を最適化した第3世代SiC SBDチップを採用しています。これらのデバイスは、前世代の1.45V（標準）より17％低い1.2V（標準）という非常に低い順方向電圧を実現しています。また、順方向電圧と総容量電荷のトレードオフ、および順方向電圧と逆方向電流のトレードオフも改善され、電力損失を減らして機器の効率を向上させます。製品は、TO-220-2Lパッケージ品と、DFN8×8パッケージ品（5種）で出荷されます。

特長
  • 低順方向電圧：VF = 1.2V（標準）（IF = IF（DC））
  • 低逆電流：TRS6E65Hの場合 IR = 1.1µA（標準）(VR = 650V）
  • 低総電荷量：TRS6E65Hの場合 QC = 17nC（標準）（VR = 400V、f = 1MHz）
応用
  • スイッチング電源
  • EV充電スタンド
  • 太陽光発電用インバータ

TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220LTRS2E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L260 - 即時$394.00詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220LTRS4E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L341 - 即時$429.00詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220LTRS3E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L376 - 即時$279.00詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220LTRS6E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220L188 - 即時$498.00詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220LTRS8E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L313 - 即時$581.00詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEPTRS6V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP4517 - 即時$467.00詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220LTRS10E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 10A TO220L100 - 即時$684.00詳細を表示
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEPTRS8V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP4487 - 即時$535.00詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220LTRS12E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 12A TO220L345 - 即時$455.00詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEPTRS10V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP3320 - 即時$620.00詳細を表示
DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEPTRS12V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP3986 - 即時$686.00詳細を表示
刊行： 2024-08-23