Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 471.9 JPY
Availability: InStock

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TRS4E65H,S1Q
DigiKey製品番号	264-TRS4E65H,S1Q-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TRS4E65H,S1Q
商品概要	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	ダイオード 650 V 4A スルーホール TO-220-2L
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品ダイオード整流器シングルダイオード
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
技術	SiC（Silicon Carbide）Schottky
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）	650 V
電流 - 平均整流（Io）	4A
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）	1.35 V @ 4 A
速度	回復時間なし > 500mA（Io）
逆回復時間（trr）	0 ns
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ	55 µA @ 650 V
Vr、F印加時の静電容量	263pF @ 1V、1MHz
取り付けタイプ	スルーホール
パッケージ/ケース	TO-220-2
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220-2L
動作温度 - ジャンクション	175°C