DTMOS-VI 600Vおよび650VパワーMOSFET

ToshibaのDTMOS-VIスーパージャンクションMOSFETはスイッチングアプリケーション向けの設計

「ToshibaのDTMOS-VI 600Vおよび650VパワーMOSFET」の画像 Toshibaの最新DTMOS-VIプロセスは、電源、データセンター、ソーラーインバータなどの重要なスイッチングアプリケーションの効率を改善するために、堅牢または高速なボディダイオードを備えた強力なスーパージャンクションプロセスを利用することにより、600Vおよび650VのMOSFETを提供します。

これらの製品は、DTMOS-VI(HSD)プロセスを採用し、ブリッジ回路やインバータ回路のアプリケーションに重要な逆回復特性を高めるために高速ボディダイオードを使用しています。標準的なDTMOS-VIプロセスに対して、逆回復時間(trr)の65%の短縮と、逆回復電荷量(Qrr)の88%短縮を達成します(測定条件:-dIDR/dt=100A/μs)。

どちらのDTMOS-VIプロセスも、標準的なスルーホールTO-220およびTO-247パッケージのほか、TOLLやDFN8x8などの面実装オプションなど、様々なパッケージで利用できます。

特長
  • ファミリの最小オン抵抗は0.024Ω(最大)(VGS=10V)
  • 低RDS(ON) x Qgd(ドレイン~ソース間オン抵抗 x ゲート~ドレイン間電荷)
  • スイッチモード電源の高効率化
  • 信頼性の高い動作のための厳しい閾値電圧
  • 内蔵高速ダイオードが逆回復損失を改善
応用
  • 産業用機器
  • スイッチング電源(データセンターサーバ、通信機器など)
  • EV充電スタンド
  • 太陽光発電気用のパワーコンディショナ
  • 無停電電源システム
図(クリックして拡大)

「ドレイン~ソース間オン抵抗とゲート~ドレイン間電荷の比較」の画像

DTMOS-VI 600 V and 650 V Power MOSFETs

画像メーカー品番商品概要ドレイン~ソース間電圧(Vdss)電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)入手可能な数量価格詳細を表示
N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,TK155U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,600 V17A(Ta)4000 - 即時$556.00詳細を表示
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,TK125U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,600 V20A(Ta)4000 - 即時$615.00詳細を表示
N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,TK099U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,600 V25A(Ta)4000 - 即時$710.00詳細を表示
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, TTK080U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T600 V30A(Ta)4000 - 即時$813.00詳細を表示
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,TK115U65Z5,RQN-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,650 V24A(Ta)4000 - 即時$994.00詳細を表示
N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,TK095U65Z5,RQN-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,650 V29A(Ta)4000 - 即時$1,126.00詳細を表示
N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10VTK024N60Z1,S1FN-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V600 V80A(Ta)104 - 即時$2,462.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ650 V38A(Ta)1676 - 即時$1,426.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ650 V24A(Ta)5932 - 即時$1,023.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFNTK125V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 24A 5DFN650 V24A(Ta)9890 - 即時$1,084.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFNTK099V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 30A 5DFN650 V30A(Ta)4730 - 即時$1,185.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ650 V30A(Ta)0 - 即時$1,184.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ650 V15A(Ta)1008 - 即時$739.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFNTK170V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 18A 5DFN650 V18A(Ta)4938 - 即時$875.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFNTK210V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 15A 5DFN650 V15A(Ta)4616 - 即時$792.00詳細を表示
650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODETK095N65Z5,S1F650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE650 V29A(Ta)195 - 即時$1,287.00詳細を表示
650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHMTK068N65Z5,S1F650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM650 V37A(Ta)235 - 即時$1,654.00詳細を表示
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247TK042N65Z5,S1F650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247650 V55A(Ta)63 - 即時$2,223.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 38A TO247TK065N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 38A TO247650 V38A(Ta)33 - 即時$1,518.00詳細を表示
MOSFET N-CH 650V 24A TO220SISTK110A65Z,S4XMOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS650 V24A(Ta)27 - 即時$943.00詳細を表示
刊行: 2025-08-20