Name: TK210V65Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK210V65ZLQTR-ND
Price: 871.2 JPY
Availability: InStock

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TK210V65Z,LQ
DigiKey製品番号	264-TK210V65ZLQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TK210V65ZLQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TK210V65ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK210V65Z,LQ
商品概要	MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 15A（Ta） 130W（Tc）面実装 4-DFN-EP（8x8）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK210V65Z,LQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	DTMOSVI
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	15A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	210ミリオーム @ 7.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 610µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1370 pF @ 300 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	130W（Tc）
動作温度	150°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	4-DFN-EP（8x8）
パッケージ/ケース	4-VSFN露出パッド
ベース品番	TK210V65