Toshiba Semiconductor and Storage - 東芝セミコンダクター＆ストレージ

TOLLパッケージのDTMOS VI MOSFET

ToshibaのMOSFETはスイッチング電源アプリケーションに最適

「ToshibaのTOLLパッケージのDTMOS VI MOSFET」の画像Toshibaの高電圧DTMOS VI MOSFETは、ドレイン～ソース間オン抵抗（RDS(ON)）および低容量の高速スイッチング特性が特長です。これにより、スイッチング電源アプリケーションの理想の選択肢となります。この最新世代のDTMOS VIは、最低性能指数RDS(ON) x QGDを提供し、ターンオンとターンオフの損失を減らすケルビンソース接続を備えたTOLLパッケージに収容されています。

特長
  • コスト削減
  • 幅広いオン抵抗とパッケージオプション
  • DTMOS VIが提供する最低性能指数（RDS(ON) x QGD）
  • 高温での安定したオン抵抗
  • パッケージとRDS(ON)のラインナップの自由度と柔軟性
  • 電源で最高効率のスイッチングを実現するDTMOS VI
  • 発熱の低減
  • 受動部品コストの削減
  • より高い電力密度を実現
応用
  • データセンター、PVインバータ、UPS
  • スイッチモード電源
  • 照明
  • 力率制御
  • 産業用電子機器

DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ5932 - 即時$1,023.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ1008 - 即時$739.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZTK155U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ0 - 即時$702.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ0 - 即時$1,184.00詳細を表示
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ1676 - 即時$1,426.00詳細を表示
刊行： 2021-05-04

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