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48Vサーバおよびテレコムアプリケーション用3kW電源設計

ToshibaのMOSFETは、最新のサーバ設計がもたらす課題に対応する設計

「Toshibaの48Vサーバおよびテレコムアプリケーション向け3kW電源設計」の画像ToshibaのSiC MOSFETおよび低電圧MOSFETは、スペース密度の増加や高熱環境など、最新のサーバ設計がもたらす課題に対応するように設計されています。

こうしたアプリケーションでは、Toshibaは1次側に650VのSiC MOSFET、2次側に80VのMOSFETを提供しています。これがSiCショットキーバリアダイオードおよびデジタル絶縁と組み合わされることで、セミブリッジレスPFCと位相シフトフルブリッジ同期整流トポロジによる高効率を実現できます。

特長
  • 3kW AC-DCコンバータ
  • 高効率MOSFETとダイオード
  • デジタル絶縁
  • 入力電圧：AC 180V～264V
 
  • 出力電圧：DC 50V
  • 出力：3kW
  • 回路トポロジ：セミブリッジレスPFC、位相シフトフルブリッジ＋同期整流、出力用OR回路
応用
  • サーバ
  • 電気通信
  • 48Vバックプレーン
ブロック図
「Toshibaの3kW電源設計ブロック図（クリックで拡大）」の画像 

3 kW Power Supply Design

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
新製品
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T		TW027U65C,RQN-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T1934 - 即時$6,512.00詳細を表示
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N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,		TPM1R908QM,LQN-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,8872 - 即時$470.00詳細を表示
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刊行： 2026-02-10

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