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マーケットプレイス製品
48Vサーバおよびテレコムアプリケーション用3kW電源設計
ToshibaのMOSFETは、最新のサーバ設計がもたらす課題に対応する設計
ToshibaのSiC MOSFETおよび低電圧MOSFETは、スペース密度の増加や高熱環境など、最新のサーバ設計がもたらす課題に対応するように設計されています。
こうしたアプリケーションでは、Toshibaは1次側に650VのSiC MOSFET、2次側に80VのMOSFETを提供しています。これがSiCショットキーバリアダイオードおよびデジタル絶縁と組み合わされることで、セミブリッジレスPFCと位相シフトフルブリッジ同期整流トポロジによる高効率を実現できます。
特長
- 3kW AC-DCコンバータ
- 高効率MOSFETとダイオード
- デジタル絶縁
- 入力電圧：AC 180V～264V
- 出力電圧：DC 50V
- 出力：3kW
- 回路トポロジ：セミブリッジレスPFC、位相シフトフルブリッジ＋同期整流、出力用OR回路
応用
- サーバ
- 電気通信
- 48Vバックプレーン
ブロック図
3 kW Power Supply Design
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TW027U65C,RQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T | 1934 - 即時 | $7,076.00 | 詳細を表示 |
|  | TPM1R908QM,LQ | N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V, | 8752 - 即時 | $510.00 | 詳細を表示 |
|  | TW092V65C,LQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH | 2480 - 即時 | $3,990.00 | 詳細を表示 |
| | TRS12V65H,LQ | DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP | 3817 - 即時 | $924.00 | 詳細を表示 |
|  | TPW2900ENH,L1Q | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO | 6860 - 即時 | $651.00 | 詳細を表示 |
|  | DCL540C01(T,E | DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC | 2886 - 即時 | $1,017.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2026-02-10
