Taiwan Semiconductor

第4世代600VスーパージャンクションMOSFET

Taiwan SemiconductorのNEシリーズ MOSFETは、より小型、高速、高効率なシステムの構築を実現

「Taiwan Semiconductorの第4世代MOSFET」の画像Taiwan Semiconductorの第4世代600V NEシリーズ スーパージャンクションMOSFETは、高電圧アプリケーションの効率と電力密度を改善するように設計されています。最新技術のNEスーパージャンクションMOSFETは、極めて低いオン抵抗（RON）と低いゲート電荷（Qg）容量を実現します。30%のFOM（figure-of-merit）、RON Qg、および改善を達成することで、代替オプションと比較して、多くのHVアプリケーションにおいて高い価値が得られます。これらのスーパージャンクションMOSFETにより、ユーザーはより小型で高速かつ効率的なシステムを構築できるようになります。

特長
  • 第4世代スーパージャンクション技術
  • Qg静電容量
  • 優れたスイッチング性能
  • 高いゲートノイズ耐性
応用
  • オフラインスイッチング電力変換
  • サーバ電源
  • HVモータドライバ
  • UPS（無停電電源）システム
  • 照明制御

4th Generation 600 V Super Junction MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
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MOSFETTSM60NE285CH C5GMOSFET3726 - 即時$508.00詳細を表示
MOSFETTSM60NE285CIT C0GMOSFET2000 - 即時$657.00詳細を表示
MOSFETTSM60NE200CIT C0GMOSFET2000 - 即時$659.00詳細を表示
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MOSFETTSM60NE048PW C0GMOSFET300 - 即時$2,331.00詳細を表示
刊行： 2024-08-06