MASTERGAN1高電力密度ハーフブリッジ

STMicroelectronicsの高電力密度ハーフブリッジ高電圧ドライバには、2つの650VエンハンスメントモードGaNHEMTを搭載

STMicroelectronicsMASTERGAN1高電力密度ハーフブリッジの画像STMicroelectronicsのMASTERGAN1は、世界初の600Vハーフブリッジドライバで、GaN HEMTシステムインパッケージ(SiP)を備えており、MASTERGANプラットフォームの最初の要素です。MASTERGAN1は小型のため、GaNの高いスイッチング周波数と、ドライバと2つのGaNスイッチの両方が同じパッケージに統合されているため、MOSFETスイッチベースの電源の4分の1の高電力密度電源を実装できます。また堅牢でもあります。オフラインドライバは、高速、効果的、安全な運転とレイアウトの簡素化のためにGaNHEMT用に最適化されています。目立たないGaNスイッチの管理は難しい場合がありますが、組み込みドライバはGaNスイッチを管理して電源設計を簡素化します。

特長
  • ハーフブリッジドライバとGaNトランジスタを統合した電力SiP
  • BOMコスト削減
  • 効率的
  • 堅牢性
  • 簡素化されたボードレイアウト
  • 3.3V〜20V互換入力
  • 広い電圧範囲に対応し、デバイスVCCに依存しない入力ピン張力
  • インターロッキング機能
  • インターロッキング状況の自動管理
用途・応用
  • スイッチモード電源
  • 充電器およびアダプタ
  • 高電圧PFC
  • DC/DCコンバータおよびDC/ACコンバータ
  • UPSシステム
  • 太陽光発電

MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge

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刊行: 2020-09-30