SiCショットキーバリアダイオード

PANJITの第1世代SiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、電気技術者がより低い熱放散でより高性能なシステムを設計するために開発されました。高速回復ダイオード（FRD）には、ターンオフ動作時に逆回復電流があり、メインスイッチがオンになると追加のスイッチング損失が発生します。対照的に、ショットキーバリアダイオードには逆回復電流がないため、より高いスイッチング周波数で使用できますが、リークが大きくなるため、ブレークダウン電圧が低くなるという欠点があります。

SiCデバイスは、シリコンデバイスよりもバンドギャップエネルギーが高いため、リーク電流が非常に低くなります。さらに、SiCデバイスは電子速度も高く、シリコンデバイスよりも優れたスイッチング性能を発揮します。

PANJITのSiC SBD Gen.1は、順方向電圧（V_F）の温度依存性が低くなるように最適化されているため、高温動作での導通損失を抑えることができます。

PANJITのSiC SBD Gen.1は、金属接触領域にP+層を追加することにより、接合バリアショットキー（JBS）構造を備えています。その結果、サージ電流容量を劇的に改善することができ、コールドスタートシステム操作のシステムレベルの信頼性を確保するのに役立ちます。

PANJIT FRED Gen.1のラインナップには、650V、1,000V、および1,200Vの降伏電圧、4A～20Aの定格電流、およびTO-220AC、ITO-220AC、TO-263、TO-252AAなどの様々なディスクリートパッケージが付属しています。