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GD3100 IGBTゲートドライブIC
NXPのIGBTゲートドライブICは、低電圧ドメインと高電圧ドメインの両方のフェイルセーフ制御を備え、ISO26262 ASIL D機能安全認証を取得
NXPのMC33GD3100は、IGBTおよびSiCパワーMOSFET用の高度なシングルチャンネルゲートドライバです。統合されたガルバニック絶縁、低オン抵抗駆動トランジスタ（高充電および放電電流を提供）、低ダイナミック飽和電圧、およびコストとスペース節約のためのレール～レールゲート電圧制御を特長としています。電流および温度のセンシング機能により、フォールト時のIGBTストレスが最小限に抑えられます。正確で構成可能な不足電圧ロックアウト（UVLO）は、十分なゲート駆動電圧ヘッドルームを確保しながら保護を提供します。MC33GD3100は、重大なフォールトを自律的に管理し、INTBピンとSPIインターフェースを介してフォールトとステータスを報告します。ほとんどのIGBTおよびSiC MOSFETのゲートを直接駆動できます。信頼性の高いASIL C/Dシステムの設計には、セルフテスト、制御、および保護機能が含まれています。
特長
- 機能安全性：ISO 26262 ASIL D最高レベルの安全認証
- サイクルごとの閉ループゲートモニタ
- 電源、アナログ、およびデジタルのセルフチェック
- 強制可能なデッドタイム制御
- 個別のフェイルセーフピン
- IGBTまたはSiCデバイスの迅速なシャットダウン
- 柔軟性を提供するプログラム可能なSPI
- 任意のIGBTおよびSiCメーカーで使用するように構成可能
- BOMコストを削減し、フットプリントを小さくするための高度な統合
- 電流検出
- 温度感知
- VDE-SAT
- ゲート波形成形用のセグメント化されたドライブ
- ソフトシャットダウン付きの2レベルのターンオフ
- アクティブミラークランプ
応用
- 車載用
- ハイブリッド完全電気自動車用モータ駆動インバータ
- 電気自動車のDC/DCブースト回路
- 充電ステーション
GD3100 IGBT Gate Drive ICs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 論理電圧 - VIL、VIH | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MC33GD3100EK | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC | - | 0 - 即時 | $1,346.69 | 詳細を表示 |
| | MC33GD3100A3EK | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC | - | 1918 - 即時 | $2,097.00 | 詳細を表示 |
GD3100 IGBT Gate Drive IC Evaluation Boards
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RDGD3100F3PH5EVB | EVAL BOARD FOR GD3100 | 5 - 即時 | $166,555.00 | 詳細を表示 | |
|  | RDGD3100I3PH5EVB | EVAL BOARD FOR GD3100 | 1 - 即時 | $137,971.00 | 詳細を表示 |
|  | FRDM-GD3100EVM | EVAL BOARD FOR GD3100 | 1 - 即時 | $51,754.00 | 詳細を表示 |
|  | FRDMGD3100HBIEVM | EVAL BD FOR KL1X KL2X MC33GD3100 | 7 - 即時 | $44,323.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2020-03-19
日本