NGW30T60M3DFQ 600V絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

NexperiaのNGW30T60M3DFQ 600V IGBTは、堅牢でコスト効率の高い高電圧ソリューション

NexperiaのNGW30T60M3DFQ 600V絶縁ゲートバイポーラトランジスタの画像NexperiaのディスクリートIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、中電圧および高電圧アプリケーションの定番部品です。増え続ける多様なアプリケーションに対して、堅牢で効率的、かつコスト効率の高いパワーソリューションへの要求が高まる中、Nexperiaのキャリア内蔵トレンチゲート型アドバンストフィールドストップ(FS)IGBTポートフォリオは、こうした業界の要求に応えます。

当初600Vデバイスで構成されたNexperia IGBTは、産業用アプリケーション向けに高い耐久信頼性と強化されたインバータ電力密度を提供します。これは、暖房、換気、空調(HVAC)システム、電力変換による電気溶接や誘導加熱(IH)、再生可能エネルギー(太陽光発電(PV)ストリング、ヒートポンプ)、EV充電器、5基のロボット用20kW(20kHz)産業用サーボモータを含む現在のシステムにおけるモータドライブなど、より伝統的な電力アプリケーションに最適です。

特長
  • 低い導通損失とスイッチング損失
  • 高い堅牢性と信頼性
  • 並列運転が容易な安定した厳密なパラメータ
  • 最大接合部温度+175°C
  • ソフト高速逆回復ダイオードとして完全定格
  • 5μsの短絡能力(M3の場合)
  • 卓越したシステム効率と信頼性を実現
  • 超低ダイオードVF
  • 超低IGBTターンオフ損失
  • 総電力損失とのトレードオフ
応用
  • 産業用モータドライブ(特に)
  • 20kW(20kHz)サーボモータ5基
  • ロボット、エレベータ、グリッパ操作、インライン製造
  • 無停電電源(UPS)
  • パワーインバータ
  • 太陽光発電(PV)ストリング
  • EV充電
  • 誘導加熱(IH)/溶接

NGW30T60M3DFQ 600 V Insulated Gate Bipolar Transistors

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IGBT TRENCH FS 600V 75A TO-247LNGW30T60M3DFQIGBT TRENCH FS 600V 75A TO-247L359 - 即時
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刊行: 2023-08-31