uP1966E:GaN FET用80Vハーフブリッジゲートドライバ

EPCとuPI Semiconductorが提携し、uP1966を使用したGaNソリューションを提供することで、コスト効率に優れたGaNベース設計の市場投入時間を短縮

画像:EPCが提供する「uP1966E:GaN FET用80Vハーフブリッジゲートドライバ」EPCが販売するuP1966Eは、ハーフブリッジトポロジでハイサイドとローサイドの両方のGaN FETを駆動するように設計されており、両方のチャンネルで数MHzで動作します。この高速パフォーマンスは、効率的で信頼性の高い動作を保証し、高速スイッチングを必要とするアプリケーションに最適です。

特長
  • プルダウン/プルアップ抵抗0.4Ω/0.7Ω
  • 高速伝播遅延(標準20ns)
  • 高速な立ち上がり/立ち下がり時間(8ns/4ns、標準)
  • オン/オフ機能のための調整可能な出力
  • CMOS互換入力ロジック(電源電圧に依存しない)
  • 電源入力の不足電圧ロックアウト
応用
  • DC/DCコンバータ
    • データセンター
    • AIサーバ
  • AC/DCおよびDC/DCの同期整流
  • ポイントオブロードコンバータ
  • D級オーディオ
  • LED照明

uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs

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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSPUP1966EIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP219580 - 即時$366.00詳細を表示
刊行: 2024-10-08