ハイパワーeGaN® FET

EPCのeGaNパワートランジスタは、パワー変換性能のレベル向上を継続

EPCが提供するGen 4 eGaN® FETの画像EPCの高電力eGaN FETファミリは、より低いオン抵抗、より低い静電容量、より高い電流、優れた熱性能を提供し、これにより98%以上の効率を持つパワーコンバータを実現します。このeGaN FETファミリは、抵抗(RDS(ON))を半減し、高電流、高電力密度のアプリケーションを可能にします。また、前世代製品と比較して、最新世代のeGaN FETは、ハードスイッチング性能指数(FOM)を半減し、高周波数パワー変換アプリケーションにおけるスイッチング性能の向上を実現します。GaNの性能の利点を30Vに拡張することで、絶縁型電源、PC、およびサーバ向けの高電力DC/DCコンバータ、ポイントオブロード(POL)コンバータ、および同期整流器を実現します。

特長

  • より低いオン抵抗(RDS(ON)
  • 性能指数(FOM)の向上
  • 30V〜200V

eGaN FET

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Development Board

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更新日: 2019-04-30
刊行: 2014-08-25