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EPC2111 30 VeGaN®トランジスタハーフブリッジ
EPCのEPC2111エンハンスメントモードGaNパワートランジスタハーフブリッジは、効率と電力密度の両方を向上
EPCの30 V eGaNハーフブリッジEPC2111は、2つのeGaN電源FETを単一のデバイスに統合し、効率と電力密度の両方を向上させ、エンドユーザーのパワー変換システムのアセンブリコストを削減します。EPC2111は、スイッチング速度と熱性能を改善するためのチップスケールパッケージで提供され、電力密度を高めるためわずか3.5 mm x 1.5 mmのサイズとなっています。このデバイスの主な用途は、ノートブックおよびタブレットコンピューティングです。GaNの高周波機能は、パワー変換に必要なサイズを削減し、次世代モバイルコンピューティングの大幅なサイズ削減を促進します。
特長
- 高周波対応
- モノリシック集積化により、相互インダクタンスが不要になり、高い周波数で効率が向上
- 高効率
- より低い伝導およびスイッチング損失、ゼロ逆回復損失
- 小型フットプリント
- 低インダクタンス、超小型、1.35mm x 1.35mmのBGA面実装パッシベーション処理ダイ
用途
- 高周波DC/DCパワー変換
- ノートブックおよびタブレットコンピューティング
EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge
Evaluation Boards
刊行： 2019-08-16
日本