AEM Central Semiconductor

面実装GaN NチャンネルパワーFET

Central SemiconductorのFETは、高効率水準の高周波アプリケーション向けの設計

Central Semiconductorの面実装GaN NチャンネルパワーFETの画像高耐圧性能と低RDS（ON）を兼ね備えたCentral SemiconductorのNチャンネルGaN FETは、高い効率水準の高周波アプリケーション向けに設計されています。これらのGaN FETは、60Aをサポートする100V、または11Aないし17Aをサポートする650Vで提供されます。これらは、さまざまな薄型面実装パッケージで提供されています。

特長
  • 高電圧対応能力：700V
  • 低ゲート電荷と3.2mΩの低RDS（ON）
  • 効率的な高速スイッチング
  • 省スペースのDFNおよびCSP
応用
  • 代替エネルギーインバータ
  • バッテリ管理システム（BMS）
  • 高効率電源
  • 電気自動車の充電

Surface-Mount GaN N-Channel Power FET

画像メーカー品番商品概要FETタイプ技術ドレイン～ソース間電圧（Vdss）入手可能な数量価格詳細を表示
SURFACE MOUNT MOSFETCCSPG1510N TR PBFREESURFACE MOUNT MOSFETNチャンネルGaNFET（窒化ガリウム）150 V2485 - 即時$1,629.00詳細を表示
刊行： 2024-09-06