ADGM1121スイッチ
Analog DevicesのADGM1121 0Hz/DC~18GHz、DPDT、MEMSスイッチは様々なRFおよび精密機器のスイッチングに好適
ADGM1121は、ADIのMEMS(microelectromechanical system)スイッチ技術を使用して製造された、広帯域の双極双投(DPDT)スイッチです。この技術により、小型フォームファクタ、広いRF帯域幅、最低0Hz/DCまで動作する高線形性と低挿入損失のスイッチが可能になり、幅広いRFおよび精密機器のスイッチングニーズに対する理想的なソリューションとなります。
組み込みのドライバチップは、パラレルインターフェースとシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)で制御可能な静電作動スイッチに高電圧を生成します。すべてのスイッチは独立して制御可能です。
ADGM1121のオン抵抗(RON)性能は、部品間またはチャンネル間のばらつき、サイクル動作、ターンオン後のセトリング時間、バイアス電圧、温度変化の影響を受けます。
EVAL-ADGM1121SDZは、ADFM1121DPDT MEMSスイッチの評価に使用できます。RFおよび制御信号用のコネクタと、スイッチの動作を制御し、その性能を評価するためのリンクが装備されています。SPIの場合、EVAL-ADPM1121SDZはシステムデモンストレーションプラットフォーム(SDP)ボードを通してPCのUSBポートに接続します。
- 周波数範囲:DC~18GHz
- 最大64Gbpsの高ビットレート機能
- 低挿入損失:
- 8GHzで0.5dB(標準)
- 16GHzで1.0dB(標準)
- 高入力IIP3:73dBm(標準)
- 高いRF電力処理:33dBm(最大)
- オン抵抗:1.9Ω(標準)
- 高い直流電流処理:200mA
- 高いスイッチサイクル数:最低1億サイクル(最小)
- 高速スイッチング時間:200μs TON(標準)
- 3.3Vドライバを内蔵し、パラレルインターフェースやSPIインターフェースを使用して容易に制御可能能
- デカップリング抵抗とシャント抵抗など、省スペース集積パッシブ
- 小型5mm x 4mm x 1mm、24リードプラスチックパッケージ
- 温度範囲:-40°C~+85°C
- ATEロードおよびプローブボード
- 高速ループバックテスト付きDC
- 高速SerDes、PCIe® Gen4/5、USB4、およびPAM4
- リレー代替品
- 再構成可能フィルタ/アッテネータ
- 軍用およびマイクロ波無線
- 携帯電話インフラ:5G mmWave
ICs
画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
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![]() | ![]() | ADGM1121BCCZ | DC TO 16GHZ DPDT MEMS SWITCH | 1530 - 即時 | $11,856.00 | 詳細を表示 |
Evaluation Boards
画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
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![]() | ![]() | EVAL-ADGM1121SDZ | EVAL BOARD | 3 - 即時 | $113,946.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EVAL-SDP-CB1Z | BOARD EVALUATION FOR SDP-CB1 | 229 - 即時 | $20,163.00 | 詳細を表示 |