ADGM1121スイッチ

Analog DevicesのADGM1121 0Hz/DC~18GHz、DPDT、MEMSスイッチは様々なRFおよび精密機器のスイッチングに好適

「Analog DevicesのADGM1121スイッチ」の画像 ADGM1121は、ADIのMEMS(microelectromechanical system)スイッチ技術を使用して製造された、広帯域の双極双投(DPDT)スイッチです。この技術により、小型フォームファクタ、広いRF帯域幅、最低0Hz/DCまで動作する高線形性と低挿入損失のスイッチが可能になり、幅広いRFおよび精密機器のスイッチングニーズに対する理想的なソリューションとなります。

組み込みのドライバチップは、パラレルインターフェースとシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)で制御可能な静電作動スイッチに高電圧を生成します。すべてのスイッチは独立して制御可能です。

ADGM1121のオン抵抗(RON)性能は、部品間またはチャンネル間のばらつき、サイクル動作、ターンオン後のセトリング時間、バイアス電圧、温度変化の影響を受けます。

EVAL-ADGM1121SDZは、ADFM1121DPDT MEMSスイッチの評価に使用できます。RFおよび制御信号用のコネクタと、スイッチの動作を制御し、その性能を評価するためのリンクが装備されています。SPIの場合、EVAL-ADPM1121SDZはシステムデモンストレーションプラットフォーム(SDP)ボードを通してPCのUSBポートに接続します。

特長
  • 周波数範囲:DC~18GHz
  • 最大64Gbpsの高ビットレート機能
  • 低挿入損失:
    • 8GHzで0.5dB(標準)
    • 16GHzで1.0dB(標準)
  • 高入力IIP3:73dBm(標準)
  • 高いRF電力処理:33dBm(最大)
  • オン抵抗:1.9Ω(標準)
  • 高い直流電流処理:200mA
  • 高いスイッチサイクル数:最低1億サイクル(最小)
  • 高速スイッチング時間:200μs TON(標準)
  • 3.3Vドライバを内蔵し、パラレルインターフェースやSPIインターフェースを使用して容易に制御可能能
  • デカップリング抵抗とシャント抵抗など、省スペース集積パッシブ
  • 小型5mm x 4mm x 1mm、24リードプラスチックパッケージ
  • 温度範囲:-40°C~+85°C
応用
  • ATEロードおよびプローブボード
  • 高速ループバックテスト付きDC
  • 高速SerDes、PCIe® Gen4/5、USB4、およびPAM4
  • リレー代替品
  • 再構成可能フィルタ/アッテネータ
  • 軍用およびマイクロ波無線
  • 携帯電話インフラ:5G mmWave

ICs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
DC TO 16GHZ DPDT MEMS SWITCHADGM1121BCCZDC TO 16GHZ DPDT MEMS SWITCH1530 - 即時$11,856.00詳細を表示

Evaluation Boards

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
EVAL BOARDEVAL-ADGM1121SDZEVAL BOARD3 - 即時$113,946.00詳細を表示
BOARD EVALUATION FOR SDP-CB1EVAL-SDP-CB1ZBOARD EVALUATION FOR SDP-CB1229 - 即時$20,163.00詳細を表示
刊行: 2024-02-09