ドライバ内蔵ADGM1004/ADGM1304 SP4T RF MEMSスイッチ

Analog DevicesのRF MEMSスイッチは、リレーの代替、RFテスト計装、RFスイッチング用

Analog Devicesのドライバ内蔵ADGM1004およびADGM1304 SP4T MEMSスイッチの画像 Analog Devicesのブレークスルーマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)スイッチ技術は、0Hz/DC〜GHz帯域幅、小型、低電圧駆動の高信頼性スイッチングソリューションを実現します。革新的な発想と独自のアプローチは、従来の大型リレーに代わる優れた代替品を提供します。MEMSスイッチ技術に好適なアプリケーションは、計装、航空宇宙および防衛、ヘルスケア、通信や、その他の主要市場です。

ADGM1004とADGM1304は、Analog DevicesのMEMSスイッチ技術を使用した広帯域、単極4投(SP4T)スイッチです。ADGM1004は0Hz/DC〜13GHzで完全に動作し、ADGM1304は0Hz/DC〜14GHzで動作します。ADGM1004には、RF1〜RG4およびRFCピン用の5kV HBM ESDと他のピン用に2.5kVという利点が追加されています。コパッケージ、低電圧の標準ロジック互換ドライバICは、スイッチを内部的に静電的に作動させるのに必要な高電圧を生成します。4つのスイッチはすべて独立して制御され、最大の柔軟性を実現します。これらのデバイスは、リレーの代替、RFテスト計装、RFスイッチングに最適です。

Analog DevicesのADGM1004 MEMSスイッチの画像

Analog DevicesのADGM1304の画像

特長および利点
  • 競合リレーソリューションと比較して95%の容積削減
  • ADGM1004の5kV高RFピンESD HBM定格
  • 低RONを備え、0Hz/DCまで完全に動作、14GHzの広い信号帯域幅
  • 信頼性の高い起動寿命:10億サイクル(最小)
  • 小型でポータブルなテスト装置のフォームファクタが可能
    • 側面基板位置により、高さ1.0mm未満で標準リレーよりも20倍小さい小型
    • 標準的なリレーよりも20倍以上軽量
  • 10倍少ない駆動電力が必要:10mW
  • テストの自動テスト装置(ATE)のコストを削減、ATEアプリケーションでのDUTスループットの向上
    • リレーよりも30倍高速なスイッチング速度
    • 小型パッケージにより、並列でテストするためのより多くのチャンネルが可能
  • 使いやすい
    • 外部ドライブICは不要
    • ADGM1004の高RFポートESD定格により、より堅牢なアプリケーション使用事例が可能
用途
  • リレー代替
  • ATE:RF/デジタル/混合信号
  • 負荷/プローブボード:RF/デジタル/混合信号
  • RFテスト計装
  • 再構成可能フィルタ/アッテネータ
  • 高性能RFスイッチング
ADGM1004の特長
  • 0Hz/DCまで完全に動作可能
    • オン抵抗: 1.8Ω(標準)
    • オフリーク:0.5nA(最大)
  • -3dB帯域幅
    • RF2、RF3用13GHz(標準)
    • RF1、RF4用10.8GHz(標準)
ADGM1304の特長
  • 0Hz/DCまで完全に動作可能
    • オン抵抗: 1.6Ω(標準)
    • オフリーク:0.5nA(最大)
  • 電源電圧:3.1V~3.4V
  • -3dB帯域幅
    • RF1、RF4用11GHz(標準)
    • RF2、RF3用14GHz(標準)
  • パッケージ/ケース:24-LFCSP

Eval Board

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EVAL BOARD FOR ADGM1004EVAL-ADGM1004EBZEVAL BOARD FOR ADGM10040 - 即時$30,555.00詳細を表示

ADGM1004/ADGM1304 SP4T MEMS Switches

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刊行: 2018-03-19