IXYSのIX4352NEAU ゲートドライバは、SiC MOSFETと高出力IGBTを駆動するために特別に設計されており、ソースとシンクの出力が分離されています。

Littelfuseの SiC MOSFET、MOSゲートサイリスタ、および整流器は、EV 充電器、ソーラーインバータ、およびモータ駆動装置向けに効率的で信頼性の高いSMPS設計を実現します。

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IXYS/Littelfuseの産業グレード シングルスイッチSiC MOSFETは、優れたパワーサイクル特性と、非常に高速で損失の少ないスイッチング動作を示します。

IXYSのIX3407Bは、ガルバニック絶縁されたシングルチャンネルゲートドライバで、通常7Aピークのソース/シンク出力電流を別々の出力ピンで供給します。

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IXYS/LittelfuseのIXSJxxN120R1高効率1200V SiC MOSFETは、高電圧高効率の電力変換システムにおいて卓越した性能を発揮します。

IXYSのDFNAK3シリーズは、ACおよびDCラインアプリケーションにおける堅牢なサージ保護用に設計されたハイパワーTVSダイオードファミリです。

IXYSのLX5シリーズ 0.8A高感度トライアックは、経済的なTO-92および面実装パッケージで、マイクロプロセッサへの直接インターフェースドライバを提供します。

SOD-123FLパッケージに収められたIXYSのD60xxS4ARPシリーズ 車載グレードシリコン整流器は、ガラスパッシベーション接合により安定した動作を実現します。

IXYSのSK230 30A標準SCRは、最大290Aのサージ耐量を備えています。

IXYS/LittelfuseのIXD2012NゲートドライバICは、さまざまなアプリケーションでパワートランジスタを効率的に制御できるように設計されています。

IXYS, a Littelfuse Technologyの650V/1220V SiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオードは、効率、信頼性、熱管理の改善を必要とするアプリケーションに最適です。

IXYSのDPF100C1200HBパワーダイオードは、優れたスイッチング性能と効率を提供する高速回復エピタキシャルダイオード（FRED）構造を特長としています。

IXYS LSIC2SD065D40CCは、ハイパワーアプリケーションで優れた性能を発揮するように設計された最先端のSiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオードです。

IXYSのIXTN500N20X4/IXTN400N20X4は、オン状態抵抗の温度係数が正のため、高電流要件を満たすために並列で使用されます。

IXYSのIX4341/IX4342 MOSFETゲートドライバは、2つの独立したドライバ（両方が反転機能付き、または1つが反転でもう1つが非反転）を備えています。

IXYSの12A高温対応オルタニスタ型トライアックは、最大接合部温度+150°C定格で、153Aの非反復サージピークオン状態電流に対応しています。

IXYSの車載グレードPxxx0S3N-A SIDACtorシリーズが、過酷な環境における過電圧過渡現象からの堅牢なAC電源ライン保護を実現します。

Littelfuse/IXYSのDSEP60-06AZ高速リカバリダイオードは、低リーク電流と短い回復時間により、高周波アプリケーションに適しています。

IXYSのIXTY2P50PAは、TO-252（DPAK）パッケージの-500V、-2A、PolarP™ PチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFETで、AEC-Q101認定を取得し、PPAPが可能です。

LittelfuseのIXTx60N20X4 Ultra Junction X4クラスディスクリートパワーMOSFETにより、設計者はより高い効率と電力密度の向上を達成できます。