650Vおよび1200V SIC MOSFET

IXYS/LittelfuseのSIC MOSFETは、産業用高速スイッチモード電源に最適

IXYSの650Vおよび1200V SIC MOSFETの画像IXYS/Littelfuseの産業グレード シングルスイッチSiC MOSFETは、優れたパワーサイクル特性と、非常に高速で損失の少ないスイッチング動作を示します。これらのMOSFETは、産業用高速スイッチングモード電源での使用が推奨されます。

特長
  • 高周波、高効率アプリケーション向けに最適化
  • 極めて低いゲート電荷と出力容量
  • 高周波スイッチングのための低ゲート抵抗
  • 全温度範囲でノーマリオフ動作
  • 超低オン抵抗

650 V and 1200 V SIC MOSFETs

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刊行: 2025-08-28