オンチップECC(誤り訂正符号)付きDRAM
公開日:2025-03-10
ISSIのECC(誤り訂正符号)付きDRAM は、システム設計を簡素化し、電力を節約し、基板上のメモリフットプリントを削減します。
ISSIのシリアルNANDフラッシュデバイスは、x1、x2、x4をサポートする高密度SPI互換ソリューションを提供し、産業用および車載用アプリケーションに最適です。
ISSI's brochure for their low pin count RAM solutions.
シリアルRAMおよびクアッドRAMソリューション
公開日:2024-04-04
ISSIのシリアルRAMおよびクワッドRAMは、医療およびウェアラブルアプリケーションに最適なピン数の少ないRAMソリューションを提供します。
ISSI's brochure for their serial and quad RAM products.
Today, ISSI offers 3.3V SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, as well as Low Power SDRAM, LPDDR and LPDDR2 DRAM.
ISSI's automotive memory solutions.
ISSI eMMC NAND Flash Memory offers unparalleled performance and endurance, including an enhanced mode that allows configuration as a pseudo-SLC.
eMMC NANDフラッシュメモリ
公開日:2023-03-15
ISSIのeMMC NANDフラッシュメモリは、デバイスを擬似SLC(pSLC)として構成し、より高い読み取り/書き込み性能を実現する拡張モードをサポートしています。
ISSI LPDDR4およびLPDDR4Xは、2、4および8ギガビットの密度で利用可能な低電圧メモリデバイスです。デバイスはデバイスごとに1つまたは2つのチャネルで構成され、各チャネルは8バンク、16ビットです。LPDDR4およびLPDDR4X は、ダブルデータレートアーキテクチャを採用し、高速動作を実現します。
ISSI introduces its new Family of IS25LP and IS25WP/WJ series of flash devices. The family builds upon the success of ISSI’s IS25LQ and IS25WQ family by introducing leading edge features such as double data rate* interface modes, SFDP support, and the popular 2 cycle instruction input.
The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X are low-voltage memory devices available in 2, 4, and 8 gigabit densities. The devices are organized as one or two channels per device where each channel is eight banks and 16-bits.
低電力のデジタル信号プロセッサ上で動作する専用アルゴリズムをベースにしたドロップインキットを使用することで、利用状況監視機能を迅速に実現することができます。
LPDDR4/4XモバイルSDRAM
公開日:2020-08-14
ISSIのLPDDR4/4XモバイルSDRAMは、ダブルデータレートアーキテクチャを使用して高速動作を実現し、2Gb、4Gb、8Gbの密度を選択できます。