LPDDR4/4XモバイルSDRAM

ISSIのLPDDR4/4Xはダブルデータレートアーキテクチャを使用して高速動作を実現

ISSIのLPDDR4/4XモバイルSDRAMの画像ISSIのLPDDR4およびLPDDR4Xは、2Gb、4Gb、および8Gbの密度が選択可能な低電圧メモリデバイスです。各デバイスごとに1/2チャンネルとして構成され、各チャンネルは8バンク、16ビットです。LPDDR4およびLPDDR4Xは、ダブルデータレートアーキテクチャを使用して高速動作を実現します。ダブルデータレートアーキテクチャは基本的に、I/Oピンでクロックサイクルあたり2データワードを転送するように設計されたインターフェースを備えた4Nプリフェッチアーキテクチャです。

LPDDR4およびLPDDR4Xは、クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方を基準とする完全同期動作を提供します。データパスは内部でパイプライン化されており、4Nビットをプリフェッチして非常に高い帯域幅を達成します。LPDDR4とLPDDR4Xはいずれも、プログラム可能でオンザフライのバースト長でのプログラム可能な読み取りおよび書き込みレイテンシが特長です。これらのデバイスの低電圧コアとI/Oは、モバイルアプリケーションに最適です。

特長
  • 低電圧
    • LPDDR4:1.8V
    • LPDDR4X:1.1V
  • 低電圧I/O
    • LPDDR4:1.1V
    • LPDDR4X:0.6V
  • 10MHz~1600MHzの周波数範囲
  • I/Oデータレートあたり20Mbps~3200Mbps
  • 16NプリフェッチDDRアーキテクチャ
  • 同時操作用のチャンネルごとに8つの内部バンク
  • 多重化、ダブルデータレート、コマンド/アドレス入力
  • 消費電力を削減するモバイル機能
  • プログラム可能なオンザフライバースト長(BL=16または32)
  • プログラム可能な読み取りおよび書き込みレイテンシ
  • 効率的なセルフリフレッシュ制御のためのオンチップ温度センサ
  • ZQ較正
  • 調節可能なドライブ強度
  • パーシャルアレイ自己リフレッシュ(PASR)
  • 10mm x 14.5mm BGA-200パッケージ
  • クロック周波数:1.6GHz
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:パラレル
  • メモリタイプ:揮発性
  • 取り付けタイプ:面実装
  • 動作温度:-40°C~95°C(TC
  • パッケージ/ケース:200-TFBGA~200-WFBGA
  • テクノロジ:SDRAMモバイルLPDDR4
  • 供給電圧:1.06V~1.17V、1.7V~1.95V
応用
  • モバイルコンピューティング
  • タブレット

LPDDR4/4X Mobile SDRAM

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刊行: 2020-08-14