NPN - ダーリントン シングルバイポーラトランジスタ

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製品ステータス
トランジスタタイプ
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
電流 - コレクタ遮断(最大)
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
電力 - 最大
周波数 - トランジション
動作温度
取り付けタイプ
パッケージ/ケース
サプライヤデバイスパッケージ
TO-3 Pkg
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
onsemi
1,014
在庫あり
1 : ¥1,100.00000
トレイ
-
トレイ
アクティブ
NPN - ダーリントン
30 A
120 V
4V @ 300mA、30A
1mA
1000 @ 20A、5V
200 W
4MHz
-55°C~200°C(TJ)
スルーホール
TO-204AA、TO-3
TO-204(TO-3)
TO-3 Pkg
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
onsemi
101
在庫あり
1,100
工場
1 : ¥1,552.00000
トレイ
-
トレイ
アクティブ
NPN - ダーリントン
30 A
60 V
4V @ 300mA、30A
1mA
1000 @ 20A、5V
200 W
4MHz
-55°C~200°C(TJ)
スルーホール
TO-204AA、TO-3
TO-204(TO-3)
TO-3 Pkg
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
onsemi
0
在庫あり
生産中止品
-
トレイ
生産中止品
NPN - ダーリントン
30 A
120 V
4V @ 300mA、30A
1mA
1000 @ 20A、5V
200 W
4MHz
-55°C~200°C(TJ)
スルーホール
TO-204AA、TO-3
TO-204(TO-3)
表示品目
/ 3

シングルバイポーラトランジスタ


ディスクリート型のバイポーラ接合トランジスタ(BJT)はオーディオや無線通信、その他の用途でアナログ信号増幅をするために一般的に使用されます。大量生産された最初の半導体デバイスの1つであり、その特性は高周波スイッチング、高電流または高電圧での動作を伴う用途には他のデバイスタイプよりも不利ですが、ノイズおよび歪みの発生を最小限に抑えたアナログ信号再生を必要とする用途では、依然として選ばれている技術です。BJTにはNPNとPNPの2種類があり、これはトランジスタを構成する半導体層の順番を表しています。NPNトランジスタ は2つのN型材料の間にある薄いP型半導体で構成されていますが、 PNPトランジスタ は2つのP型の間にN型半導体があります。これにより、2 つのタイプは逆極性で動作します。NPNトランジスタは電流を吐き出し、PNPトランジスタは電流を吸い込みます。