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SQ2310ES-T1_GE3 Nチャンネル 20V 6A(Tc) 2W(Tc) 面実装 TO-236
価格と調達
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数量
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数量 単価 金額
1 83.00000 ¥83
10 73.10000 ¥731
25 68.64000 ¥1,716
100 49.80000 ¥4,980
250 48.02400 ¥12,006
500 41.60800 ¥20,804
1,000 35.41100 ¥35,411

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SQ2310ES-T1_GE3TR-ND
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  • 在庫数量: 90,000 - 即時
  • 単価: ¥33.19800

SQ2310ES-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SQ2310ES-T1_GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 6A(Tc) 2W(Tc) 面実装 TO-236

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ドキュメントとメディア
データシート SQ2310ES
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
PCNアセンブリ/原産地 SIL-058-2014-Rev-2 15/Sep/2014
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 30ミリオーム @ 5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.5nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 485pF @ 10V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-236
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SQ2310ES-T1-GE3CT
SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
SQ2310ES-T1_GE3CT