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EPC2039 Nチャンネル 80V 6.8A(Ta) 面実装 ダイ
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数量
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数量 単価 金額
1 191.00000 ¥191
10 169.50000 ¥1,695
25 153.08000 ¥3,827
100 133.94000 ¥13,394
250 117.53600 ¥29,384
500 103.87000 ¥51,935
1,000 82.00200 ¥82,002

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製品概要
Digi-Key品番 917-1147-1-ND
コピー   917-1147-1-ND
在庫数量 123,893
即日出荷可能
仕入先

コピー   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
メーカー品番

EPC2039

コピー   EPC2039
商品概要 GANFET TRANS 80V BUMPED DIE
コピー   GANFET TRANS 80V BUMPED DIE
メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 80V 6.8A(Ta) 面実装 ダイ

コピー   Nチャンネル 80V 6.8A(Ta)  面実装 ダイ
ドキュメントとメディア
データシート EPC2039 Datasheet
アプリケーションノート Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs
ビデオファイル How eGaN transistor technology improves lidar performance
リファレンス設計ライブラリ EPC9057: 6A, 0 ~ 80V, Half-bridge
PCNアセンブリ/原産地 EPC2/EPC8 15/Jun/2018
製品属性 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
梱包形態 ? カット テープ(CT) ?
部品状況 有効
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 6.8A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 25ミリオーム @ 6A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 2mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.4nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 210pF @ 40V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ ? 1
その他の製品名/品番 917-1147-1
梱包形態の種類 | この製品の梱包形態は、下記の種類があります。
  • テープ&リール(TR) ? : 917-1147-2-ND
  • 最小発注数量: 2,500
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  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 123,893 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®

05:31:35 4/22/2019