EPC2010 EPC | シングルFET、MOSFET

EPC2010 は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

直接

EPC

在庫あり: 3,854

単価 : ¥1,418.00000

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 25ミリオーム @ 6A、5V
メーカー EPC	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 3mA
シリーズ eGaN®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 7.5 nC @ 5 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vgs（最大） +6V、-4V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 540 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～125°C（TJ）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	サプライヤデバイスパッケージダイ
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）	パッケージ/ケースダイ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V	ベース品番 EPC20

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

EPC2010