Toshiba's TMPM3HxF10xx series of ARM Cortex-M3 microcontrollers, part of the TXZ+™ family, operate at 120 MHz and are built on a 40 nm process node.

The Toshiba DF2B6M4BSL ultra-low capacitance TVS Diode is designed to protect high-frequency antennas of IoT devices from ESD.

東芝の650V、1200V耐圧の第3世代SiC（エスアイシー）技術は、 高効率な電源装置向けに開発されました。業界標準の3ピンTO-247パッケージに収められた SiC MOSFET(モスフェット)は、400V／800V ACアダプタ、太陽光発電インバータ、 無停電電源装置用の双方向DC/DCコンバータなどの 高出力産業機器向けに特別設計されています。MOSFETは、高耐圧、高速スイッチング、低オン抵抗特性により、 消費電力の削減と電力密度の向上に貢献します。

Toshiba's 650 and 1,200 volt 3rd Generation Silicon Carbide technology is designed for high-efficiency power supply applications.

The Toshiba TCKE8xx and TCKE712BNL series of eFuse ICs integrate a comprehensive range of high-speed, resettable, and low on-resistance circuit protection functions not possible with conventional fuses.

東芝のTCKE712BNLは、調整可能な過電流保護機能、過電圧保護機能、およびスルーレート制御機能を備えた、13.2Vという高入力電圧で単一入力/単一出力のeFuse ICです。このeFuse ICは繰り返し利用可能なヒューズとして使用でき、外付け抵抗による調整可能な過電流制限、短絡保護、外付けコンデンサ容量による調整可能なスルーレート制御、調整可能な過電圧保護、低電圧保護、過熱保護、FLAG機能などの他の保護機能も備えています。

Toshiba's TCKE712BNL is a 13.2 V high input voltage single-input/single-output eFuse IC that features adjustable overcurrent protection, overvoltage protection, and slew rate control.

Toshiba's TC78H660FTG 2-channel brushed motor driver is a compact and high-performance motor driver for low-voltage applications.

東芝のTC78H660FTG 2-チャネルブラシ付きモータードライバーは、低電圧アプリケーション向けの小型かつ高性能なモータードライバーです。

東芝のAEC-Q101認定フォトカプラー及ぶフォトリレーは、最も要求の厳しい自動車アプリケーションでパフォーマンスを最大化するよう構築されています。

東芝のTCKE8xxシリーズのeFuseICはコンパクトなパッケージで高速かつ高性能の回路保護を提供します。

The TW070J120B silicon carbide MOSFET, from Toshiba, is a power device featuring a low R-DS-On of 70 milliohms.

Toshiba’s AEC-Q101-qualified photocouplers and photorelays are built to maximize performance in the most demanding of automotive applications.

The TCKE8xx Series of eFuse ICs, from Toshiba, provides high-speed and high-performance circuit protection in a single compact package.

AGC is Toshiba’s unique stepping motor technology to automatically optimize the drive current in real time according to load torques. It helps reduce unnecessary current and drastically cut power consumption and heat generation.

This series of photorelays from Toshiba utilizes state-of-the-art U-MOSVIII process technology MOSFET to improve system reliability and reduce board space since separate relay drivers are not needed.

Toshiba's LDO achieves industry's best-in-1 class ripple rejection ratio and load transient response. This helps to minimize output voltage fluctuations.

Toshiba will propose suitable semiconductor products in power line and data line around the Type-C connector according to customer’s usage conditions.

Toshiba’s 4th generation ESD protection diode (EAP-IV), achieves top level low dynamic resistance and low clamping voltages. It protects devices from ESD circuit destruction and degradation over time.