650Vおよび1,200Vの第3世代シリコンカーバイドMOSFET | Datasheet Preview

東芝の650V、1200V耐圧の第3世代SiC（エスアイシー）技術は、 高効率な電源装置向けに開発されました。業界標準の3ピンTO-247パッケージに収められた SiC MOSFET(モスフェット)は、400V／800V ACアダプタ、太陽光発電インバータ、 無停電電源装置用の双方向DC/DCコンバータなどの 高出力産業機器向けに特別設計されています。MOSFETは、高耐圧、高速スイッチング、低オン抵抗特性により、 消費電力の削減と電力密度の向上に貢献します。650V耐圧製品は、4,850 ピコファラッドの入力容量、 128 ナノクーロムの低ゲート入力電荷、ドレイン-ソース間の オン抵抗わずか15 ミリオーム。1200V耐圧製品は、6,000 ピコファラッドの入力容量、 158 ナノクーロムの低ゲート入力電荷、ドレイン-ソース間の オン抵抗わずか15 ミリオームという特徴を備えています。