Gallium Nitride FETs and ICs in Hi-Fidelity Class-D Audio for a Better Listening Experience
This webinar covers how Gallium Nitride devices deliver double the power density over silicon MOSFETs, require no heatsink, and provide easier output stage scaling for high-power (greater than 100 W/channel) audio applications.
Part List
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | EPC23104ENGRT | IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN | 26858 - 即時 | $787.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC23103ENGRT | IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A | 0 - 即時 | $1,211.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC23102ENGRT | IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN | 8162 - 即時 | $1,336.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2307ENGRT | TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN | 18085 - 即時 | $1,198.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2304ENGRT | TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN | 0 - 即時 | $1,545.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2308ENGRT | TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN | 46039 - 即時 | $1,050.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2215 | GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE | 177377 - 即時 | $853.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2059 | TRANS GAN 170V DIE .009OHM | 13253 - 即時 | $710.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2218 | GANFET N-CH 100V DIE | 22646 - 即時 | $1,198.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2204 | TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM | 81174 - 即時 | $519.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | EPC2052 | GANFET N-CH 100V 8.2A DIE | 104473 - 即時 | $369.00 | 詳細を表示 |













