XP83T03GJB YAGEO XSEMI | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー YAGEO XSEMI	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 34 nC @ 4.5 V
シリーズ XP83T03	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1840 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 60W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-251S
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	パッケージ/ケース TO-251-3短いリード、IPAK、TO-251AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 XP83
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6ミリオーム @ 40A、10V

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XP83T03GJB