Name: XP60SL115DR
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP60SL115DR-ND
Price: 815.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 115ミリオーム @ 9.6A、10V
メーカー YAGEO XSEMI	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
シリーズ XP60SL115D	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 145 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5120 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）、178W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 28A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-262
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-262-3長リード、I2PAK、TO-262AA

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単価（消費税込み）:	¥815.10000

XP60SL115DR