XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | ディスクリート半導体製品

XP3R303GMT-L は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

メーカー推奨品

YAGEO XSEMI

在庫あり: 0

単価 : ¥0.00000

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

XP3R303GMT-L
DigiKey製品番号	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - テープ＆リール（TR） 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - カットテープ（CT） 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	YAGEO XSEMI
メーカー製品番号	XP3R303GMT-L
商品概要	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 31A（Ta）、105A（Tc） 5W（Ta）、56.8W（Tc）面実装 PMPAK® 5 x 6
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	YAGEO XSEMI
シリーズ	XP3R303
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	31A（Ta）、105A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	3.3ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	21 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2240 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	5W（Ta）、56.8W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PMPAK® 5 x 6
パッケージ/ケース	8-PowerLDFN