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ECB2R8M12YM3

DigiKey製品番号
1697-ECB2R8M12YM3-ND
メーカー
メーカー製品番号
ECB2R8M12YM3
商品概要
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 545A 1.485kW(Tj) シャーシマウント
データシート
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製品属性
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Wolfspeed, Inc.
シリーズ
-
梱包形態
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
6 Nチャンネル(3相インバータ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
545A
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
3.7ミリオーム @ 450A、15V
Id印加時のVgs(th)(最大)
3.6V @ 125mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
1272nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
38500pF @ 800V
電力 - 最大
1.485kW(Tj)
動作温度
-40°C~175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
-
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