Name: SUM80090E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM80090E-GE3TR-ND
Price: 792 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SUM80090E-GE3
DigiKey製品番号	SUM80090E-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SUM80090E-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SUM80090E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SUM80090E-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	42 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 128A（Tc） 375W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SUM80090E-GE3 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 95 nC @ 10 V
シリーズ ThunderFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3425 pF @ 75 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 375W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 128A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7.5V、10V	ベース品番 SUM80090
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9ミリオーム @ 30A、10V