Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 431.2 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SUD50N04-8M8P-4GE3
DigiKey製品番号	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - カットテープ（CT） SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SUD50N04-8M8P-4GE3
商品概要	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 14A（Ta）、50A（Tc） 3.1W（Ta）、48.1W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SUD50N04-8M8P-4GE3 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 56 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2400 pF @ 20 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.1W（Ta）、48.1W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 14A（Ta）、50A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SUD50
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.8ミリオーム @ 20A、10V