Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 151.8 JPY
Availability: InStock

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SUD50N04-8M8P-4GE3
DigiKey製品番号	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - カットテープ（CT） SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SUD50N04-8M8P-4GE3
商品概要	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 14A（Ta）、50A（Tc） 3.1W（Ta）、48.1W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SUD50N04-8M8P-4GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	14A（Ta）、50A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	8.8ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	56 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2400 pF @ 20 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.1W（Ta）、48.1W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252AA
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	SUD50