Name: SQW61N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQW61N65EF-GE3-ND
Price: 2690.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 344 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±30V
シリーズ E	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7379 pF @ 100 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 625W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 62A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 52ミリオーム @ 32A、10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA	ベース品番 SQW61

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単価（消費税抜き）:	¥2,446.00000
単価（消費税込み）:	¥2,690.60000

SQW61N65EF-GE3