Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 326.7 JPY
Availability: InStock

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SQS966ENW-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQS966ENW-T1_GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
メーカーの標準リードタイム	39 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 60V 6A（Tc） 27.8W（Tc）面実装、濡れ性フランク PowerPAK® 1212-8Wデュアル
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 8.8nC @ 10V
メーカー Vishay Siliconix	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 572pF @ 25V
シリーズ TrenchFET®	電力 - 最大 27.8W（Tc）
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
部品状況アクティブ	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	取り付けタイプ面実装、濡れ性フランク
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60V	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8Wデュアル
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8Wデュアル
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 36ミリオーム @ 1.25A、10V	ベース品番 SQS966
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

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テープ＆リール（TR）

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥297.00000
単価（消費税込み）:	¥326.70000

SQS966ENW-T1_GE3