Name: SQM120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
Price: 939.4 JPY
Availability: OutOfStock

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Nexperia USA Inc.

在庫あり: 1,550

単価 : ¥882.00000

類似

Infineon Technologies

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SQM120N10-3M8_GE3
DigiKey製品番号	SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQM120N10-3M8_GE3
商品概要	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 120A（Tc） 375W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQM120N10-3M8_GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 190 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7230 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 375W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.8ミリオーム @ 20A、10V	ベース品番 SQM120
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 250µA

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代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BUK765R0-100E,118	Nexperia USA Inc.	1,550	1727-7135-1-ND	¥882.00000	直接
IPB049N08N5ATMA1	Infineon Technologies	8	448-IPB049N08N5ATMA1CT-ND	¥650.00000	類似