Name: SQM120N04-1M7L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N04-1M7L_GE3TR-ND
Price: 861.3 JPY
Availability: InStock

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SQM120N04-1M7L_GE3
DigiKey製品番号	SQM120N04-1M7L_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND - カットテープ（CT）
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQM120N04-1M7L_GE3
商品概要	MOSFET N-CH 40V 120A TO263
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 40 V 120A（Tc） 375W（Tc）面実装 TO-263
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 285 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 14606 pF @ 20 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）	電力散逸（最大） 375W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.7ミリオーム @ 30A、10V	ベース品番 SQM120
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA