Name: SQM110P06-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND
Price: 823.9 JPY
Availability: InStock

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SQM110P06-8M9L_GE3
DigiKey製品番号	SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQM110P06-8M9L_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQM110P06-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQM110P06-8M9L_GE3
商品概要	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 110A（Tc） 230W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQM110P06-8M9L_GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 200 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7450 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 230W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 110A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.9ミリオーム @ 30A、10V	ベース品番 SQM110
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA