Name: SQM110N05-06L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110N05-06L_GE3TR-ND
Price: 731.5 JPY
Availability: InStock

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SQM110N05-06L_GE3
DigiKey製品番号	SQM110N05-06L_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQM110N05-06L_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQM110N05-06L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQM110N05-06L_GE3
商品概要	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 55 V 110A（Tc） 157W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 110 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4440 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 157W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 55 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 110A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6ミリオーム @ 30A、10V	ベース品番 SQM110
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

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関連リソース

代替品リスト（9）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BUK9608-55B,118	Nexperia USA Inc.	321	1727-4711-1-ND	¥528.00000	類似
HUF75345S3ST	onsemi	1,881	HUF75345S3STCT-ND	¥1,359.00000	類似
IRF1405STRLPBF	Infineon Technologies	1,681	IRF1405STRLPBFCT-ND	¥600.00000	類似
IRF3205ZSTRLPBF	Infineon Technologies	4,387	IRF3205ZSTRLPBFCT-ND	¥460.00000	類似
IXTA110N055T2	IXYS	0	IXTA110N055T2-ND	¥706.00000	類似