
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - カット テープ(CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SQJB80EP-T1_GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
メーカーの標準リードタイム | 32 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 80V 30A(Tc) 48W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SQJB80EP-T1_GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 80V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 30A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 19ミリオーム @ 8A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 32nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1400pF @ 25V | |
電力 - 最大 | 48W | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | 自動車 | |
認定 | AEC-Q101 | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8デュアル | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8デュアル | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥297.00000 | ¥297 |
| 10 | ¥189.20000 | ¥1,892 |
| 100 | ¥127.26000 | ¥12,726 |
| 500 | ¥100.71200 | ¥50,356 |
| 1,000 | ¥92.77000 | ¥92,770 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥81.33567 | ¥244,007 |
| 6,000 | ¥75.88200 | ¥455,292 |
| 9,000 | ¥75.79189 | ¥682,127 |
| 単価(消費税抜き): | ¥297.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥326.70000 |








