
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - カット テープ(CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SQJB80EP-T1_GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
メーカーの標準リードタイム | 37 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 80V 30A(Tc) 48W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SQJB80EP-T1_GE3 モデル |
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カテゴリ | Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 32nC @ 10V |
メーカー Vishay Siliconix | Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1400pF @ 25V |
シリーズ | 電力 - 最大 48W |
梱包形態 テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | 動作温度 -55°C~175°C(TJ) |
部品状況 アクティブ | グレード 自動車 |
技術 MOSFET(金属酸化物) | 認定 AEC-Q101 |
構成 2 Nチャンネル(デュアル) | 取り付けタイプ 面実装 |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 80V | パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8デュアル |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 30A(Tc) | サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8デュアル |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 19ミリオーム @ 8A、10V | ベース品番 |
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA |
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カット テープ(CT) & Digi-Reel®
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥330.00000 | ¥330 |
| 10 | ¥210.20000 | ¥2,102 |
| 100 | ¥141.38000 | ¥14,138 |
| 500 | ¥111.90000 | ¥55,950 |
| 1,000 | ¥102.41300 | ¥102,413 |
テープ&リール(TR)
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥90.37100 | ¥271,113 |
| 6,000 | ¥84.31150 | ¥505,869 |
| 9,000 | ¥81.22578 | ¥731,032 |
| 15,000 | ¥78.70220 | ¥1,180,533 |
| 単価(消費税抜き): | ¥330.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥363.00000 |
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10 品目









