
SQJ968EP-T1_GE3 | |
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cms-digikey-product-number | SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - カット テープ(CT) |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | SQJ968EP-T1_GE3 |
cms-description | MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8 |
cms-standard-lead-time | 22 週間 |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | MOSFET - アレイ 60V 23.5A(Tc) 42W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル |
データシート | データシート |
cms-eda-cad-models | SQJ968EP-T1_GE3 モデル |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
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cms-category | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 60V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 23.5A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 33.6ミリオーム @ 4.8A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 18.5nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 714pF @ 30V | |
電力 - 最大 | 42W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TA) | |
グレード | 自動車 | |
認定 | AEC-Q101 | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8デュアル | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8デュアル | |
ベース品番 |
cms-quantity | 単価 | cms-ext-price |
---|---|---|
1 | ¥259.00000 | ¥259 |
10 | ¥164.30000 | ¥1,643 |
100 | ¥109.79000 | ¥10,979 |
500 | ¥86.40200 | ¥43,201 |
1,000 | ¥78.87800 | ¥78,878 |
cms-quantity | 単価 | cms-ext-price |
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3,000 | ¥69.69333 | ¥209,080 |
6,000 | ¥64.51517 | ¥387,091 |
9,000 | ¥63.04933 | ¥567,444 |
単価(消費税抜き): | ¥259.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥284.90000 |